Número do Produto do Fabricante:
R6012ANX
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
R6012ANX-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventário:
13527508
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R6012ANX Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220FM
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
R6012
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SIHA12N60E-E3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
923
NÚMERO DA PEÇA
SIHA12N60E-E3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.99
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
672
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PREÇO UNITÁRIO
1.78
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PREÇO UNITÁRIO
1.18
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PREÇO UNITÁRIO
1.20
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