Número do Produto do Fabricante:
R6012JNXC7G
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
R6012JNXC7G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventário:
12851603
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R6012JNXC7G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 6A, 15V
vgs(th) (máx) @ id
7V @ 2.5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
900 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220FM
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
R6012
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-R6012JNXC7G
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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