Número do Produto do Fabricante:
RS1E350BNTB
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
RS1E350BNTB-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventário:
810 Pcs Novo Original Em Estoque
13526606
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RS1E350BNTB Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
35A (Ta), 80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7900 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-HSOP
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
RS1E
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
RS1E350BNTBTR
RS1E350BNTBCT
RS1E350BNTBDKR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
RS1E350BNTB1
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2425
NÚMERO DA PEÇA
RS1E350BNTB1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.19
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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