Número do Produto do Fabricante:
RS6G100BGTB1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
RS6G100BGTB1-DG
Descrição:
NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 3W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventário:
2423 Pcs Novo Original Em Estoque
12990005
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
RS6G100BGTB1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1510 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3W (Ta), 59W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-HSOP
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
846-RS6G100BGTB1DKR
846-RS6G100BGTB1CT
846-RS6G100BGTB1TR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
RS6L090BGTB1
NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
RS6P060BHTB1
NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
RD3L03BBGTL1
NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
