Número do Produto do Fabricante:
RT1E040RPTR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
RT1E040RPTR-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 4A 8TSST
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 4A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Inventário:
13525624
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RT1E040RPTR Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1000 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
550mW (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-TSST
Pacote / Estojo
8-SMD, Flat Lead
Número do produto base
RT1E040
Folha de Dados & Documentos
Recursos de design
Folhas de dados
Documentos de confiabilidade
Informação Adicional
Outros nomes
RT1E040RPCT
RT1E040RPTRDKR
RT1E040RPTRDKR-ND
RT1E040RPDKR
RT1E040RPTRTR
RT1E040RPTRCT
RT1E040RPTRCT-ND
RT1E040RPTRTR-ND
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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