Início
Produtos
Fabricantes
Sobre DiGi
Contacte-nos
Blogs & Publicações
Pedido de Cotação
Brazil
Entrar
Idioma Seletivo
Idioma atual da sua escolha:
Brazil
Trocar:
Inglês
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Sobre DiGi
Sobre nós
Sobre nós
As Nossas Certificações
DiGi Introdução
Por que DiGi
Política
Política de Qualidade
Termos de uso
Conformidade RoHS
Processo de Devolução
Recursos
Categorias de Produtos
Fabricantes
Blogs & Publicações
Serviços
Garantia de Qualidade
Forma de Pagamento
Envio Global
Taxas de Envio
Perguntas Frequentes
Número do Produto do Fabricante:
SCT3160KLGC11
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
SCT3160KLGC11-DG
Descrição:
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 17A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N
Inventário:
2223 Pcs Novo Original Em Estoque
13527019
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nome do Contato
*
Telefone
*
E-mail
Endereço de Entrega
Mensagem
(
*
) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SCT3160KLGC11 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
208mOhm @ 5A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
5.6V @ 2.5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
398 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
103W (Tc)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247N
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
SCT3160
Folha de Dados & Documentos
Recursos de design
TO-247N Inner Structure
Documentos de confiabilidade
MOS-3GTHD Reliability Test
Folhas de dados
SCT3160KLGC11
TO-247N Taping Spec
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
RT1E050RPTR
MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST
RQ6E040XNTCR
MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
RQ5P010SNTL
MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
RSQ025P03TR
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6