Número do Produto do Fabricante:
US6J11TR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
US6J11TR-DG
Descrição:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 12V 1.3A 320mW Surface Mount TUMT6
Inventário:
5885 Pcs Novo Original Em Estoque
13527012
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
US6J11TR Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
260mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
2.4nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
290pF @ 6V
Potência - Máx.
320mW
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
6-SMD, Flat Leads
Pacote de dispositivos do fornecedor
TUMT6
Número do produto base
US6J11
Folha de Dados & Documentos
Recursos de design
Documentos de confiabilidade
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
US6J11DKR
US6J11CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SP8K22FRATB
MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOP
TT8K11TCR
MOSFET 2N-CH 30V 3A 8TSST
SP8K2TB
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP