Número do Produto do Fabricante:
2SD1803S-E
Product Overview
Fabricante:
Sanyo
DiGi Electronics Número da Peça:
2SD1803S-E-DG
Descrição:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 5 A 180MHz 1 W Through Hole IPAK/TP
Inventário:
3000 Pcs Novo Original Em Estoque
12946092
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2SD1803S-E Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
5 A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 150mA, 3A
Corrente - Corte do coletor (máx.)
1µA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 2V
Potência - Máx.
1 W
Frequência - Transição
180MHz
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
IPAK/TP
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-2SD1803S-E
ONSONS2SD1803S-E
Pacote padrão
461
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificação DIGI
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