Número do Produto do Fabricante:
STD11NM60N-1
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STD11NM60N-1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventário:
12876275
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STD11NM60N-1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
-
Série
MDmesh™ II
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
850 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
90W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I-PAK
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
STD11
Informação Adicional
Outros nomes
497-5963-5
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK11P65W,RQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
485
NÚMERO DA PEÇA
TK11P65W,RQ-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.74
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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FABRICANTE
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
12211
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PREÇO UNITÁRIO
0.77
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PREÇO UNITÁRIO
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