Número do Produto do Fabricante:
STP11N52K3
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STP11N52K3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 525V 10A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 525 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
564 Pcs Novo Original Em Estoque
12875318
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STP11N52K3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tube
Série
SuperMESH3™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
525 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
510mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 50µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1400 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
STP11N
Informação Adicional
Outros nomes
497-11870-5
-497-11870-5
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXFP12N50P
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
300
NÚMERO DA PEÇA
IXFP12N50P-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.71
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1693
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PREÇO UNITÁRIO
1.46
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
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PREÇO UNITÁRIO
0.76
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