Número do Produto do Fabricante:
STP14NK60Z
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STP14NK60Z-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 13.5A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 13.5A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
12875931
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STP14NK60Z Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
-
Série
SuperMESH™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
13.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2220 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
160W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
STP14N
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK12E80W,S1X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
TK12E80W,S1X-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.51
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PREÇO UNITÁRIO
1.02
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
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PREÇO UNITÁRIO
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