Número do Produto do Fabricante:
CSD19533KCS
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
DiGi Electronics Número da Peça:
CSD19533KCS-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
2169 Pcs Novo Original Em Estoque
12789211
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CSD19533KCS Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalagem
Tube
Série
NexFET™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2670 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
188W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
CSD19533
Folha de Dados & Documentos
Página do produto do fabricante
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
-CSD19533KCS-NDR
296-37482-5INACTIVE
296-37482-5-NDR
-CSD19533KCSINACTIVE
296-37482-5
CSD19533KCS-DG
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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