Número do Produto do Fabricante:
2SC3669-Y(T2OMI,FM
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
2SC3669-Y(T2OMI,FM-DG
Descrição:
TRANS NPN 80V 2A MSTM
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 2 A 100MHz 1 W Through Hole MSTM
Inventário:
12891429
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Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
4LPT
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2SC3669-Y(T2OMI,FM Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
2 A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
80 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 1A
Corrente - Corte do coletor (máx.)
1µA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 500mA, 2V
Potência - Máx.
1 W
Frequência - Transição
100MHz
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
SC-71
Pacote de dispositivos do fornecedor
MSTM
Número do produto base
2SC3669
Informação Adicional
Outros nomes
2SC3669-Y(T2OMIFM
2SC3669YT2OMIFM
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificação DIGI
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