RN1107ACT(TPL3)
Número do Produto do Fabricante:

RN1107ACT(TPL3)

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Número da Peça:

RN1107ACT(TPL3)-DG

Descrição:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3

Inventário:

9440 Pcs Novo Original Em Estoque
12890643
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RN1107ACT(TPL3) Especificações Técnicas

Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pré-Biasados Simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Cut Tape (CT)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
80 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
47 kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
500nA
Potência - Máx.
100 mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SC-101, SOT-883
Pacote de dispositivos do fornecedor
CST3
Número do produto base
RN1107

Informação Adicional

Outros nomes
RN1107ACT(TPL3)CT
RN1107ACT (TPL3)
RN1107ACT(TPL3)DKR
RN1107ACT(TPL3)TR
Pacote padrão
10,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
RN1107,LF(CT
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
20341
NÚMERO DA PEÇA
RN1107,LF(CT-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.02
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
PDTC114YM,315
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
9999
NÚMERO DA PEÇA
PDTC114YM,315-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.02
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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FABRICANTE
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
60000
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PREÇO UNITÁRIO
0.03
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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