Número do Produto do Fabricante:
RN2107ACT(TPL3)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
RN2107ACT(TPL3)-DG
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Inventário:
12890717
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Mínimo 1
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RN2107ACT(TPL3) Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pré-Biasados Simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo de transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
80 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
47 kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
500nA
Potência - Máx.
100 mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SC-101, SOT-883
Pacote de dispositivos do fornecedor
CST3
Número do produto base
RN2107
Informação Adicional
Outros nomes
RN2107ACT(TPL3)DKR
RN2107ACT(TPL3)TR
RN2107ACT(TPL3)CT
Pacote padrão
10,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
PDTA114TMB,315
FABRICANTE
NXP Semiconductors
QUANTIDADE DISPONÍVEL
668175
NÚMERO DA PEÇA
PDTA114TMB,315-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.03
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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