Número do Produto do Fabricante:
SSM3K35MFV,L3F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
SSM3K35MFV,L3F-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 180mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventário:
12890914
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Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
2Gc2
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ENVIAR
SSM3K35MFV,L3F Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
180mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 50mA, 4V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 1mA
Vgs (máx.)
±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9.5 pF @ 3 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
150mW (Ta)
Temperatura de operação
150°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
VESM
Pacote / Estojo
SOT-723
Número do produto base
SSM3K35
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SSM3K35MFVL3F
Pacote padrão
8,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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