Número do Produto do Fabricante:
SSM3K35MFV,L3F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
SSM3K35MFV,L3F-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 180MA VESM
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 180mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventário:
12890914
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
6yqQ
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SSM3K35MFV,L3F Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
180mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 50mA, 4V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 1mA
Vgs (máx.)
±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9.5 pF @ 3 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
150mW (Ta)
Temperatura de operação
150°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
VESM
Pacote / Estojo
SOT-723
Número do produto base
SSM3K35
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SSM3K35MFVL3F
Pacote padrão
8,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
TPN5900CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
TK10A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
TK4A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 4A TO220SIS
