Número do Produto do Fabricante:
TK16A60W,S4X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK16A60W,S4X-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventário:
12891120
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TK16A60W,S4X Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tube
Série
DTMOSIV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
15.8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.7V @ 790µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1350 pF @ 300 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
40W (Tc)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220SIS
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
TK16A60
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TK16A60WS4X
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
R6024KNX
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
451
NÚMERO DA PEÇA
R6024KNX-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.13
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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FABRICANTE
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
484
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PREÇO UNITÁRIO
1.07
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
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PREÇO UNITÁRIO
2.11
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