Número do Produto do Fabricante:
TK46A08N1,S4X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK46A08N1,S4X-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 46A TO220SIS
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 46A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventário:
8 Pcs Novo Original Em Estoque
12890851
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
22HS
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
TK46A08N1,S4X Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tube
Série
U-MOSVIII-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2500 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220SIS
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
TK46A08
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
264-TK46A08N1,S4X
TK46A08N1,S4X(S
TK46A08N1,S4X-DG
TK46A08N1S4X
TK46A08N1S4X-DG
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK56A12N1,S4X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
53
NÚMERO DA PEÇA
TK56A12N1,S4X-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.78
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
TK6A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 6A TO220SIS
TK31V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
SSM3J129TU(TE85L)
MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
