IRFDC20PBF

Número do Produto do Fabricante:

IRFDC20PBF

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

IRFDC20PBF-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP

Descrição Detalhada:

N-Channel 600 V 320mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventário:

5886 Pcs Novo Original Em Estoque

12908571

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IRFDC20PBF Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Vishay

Embalagem

Tube

Série

-

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

600 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

320mA (Ta)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4Ohm @ 190mA, 10V

vgs(th) (máx) @ id

4V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

18 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

350 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

1W (Ta)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

4-HVMDIP

Pacote / Estojo

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Número do produto base

IRFDC20

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes

*IRFDC20PBF

Pacote padrão

100

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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