IRFIBF30GPBF

Número do Produto do Fabricante:

IRFIBF30GPBF

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

IRFIBF30GPBF-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3

Descrição Detalhada:

N-Channel 900 V 1.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventário:

888 Pcs Novo Original Em Estoque

13054080

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IRFIBF30GPBF Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Vishay

Embalagem

Tube

Série

-

Empacotamento

Tube

Status da peça

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

900 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

1.9A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 1.1A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

4V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

78 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1200 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

35W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-220-3

Pacote / Estojo

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Número do produto base

IRFIBF30

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

IRFIBF30GPBF-DG

Informação Adicional

Outros nomes

742-IRFIBF30GPBF

IRFIBF30GPBF-ND

*IRFIBF30GPBF

Pacote padrão

50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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