Número do Produto do Fabricante:
IRLD024PBF
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
IRLD024PBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventário:
1136 Pcs Novo Original Em Estoque
13053827
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ENVIAR
IRLD024PBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Empacotamento
Tube
Status da peça
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 1.5A, 5V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
870 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.3W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-HVMDIP
Pacote / Estojo
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Número do produto base
IRLD024
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
*IRLD024PBF
Pacote padrão
100
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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