Início
Produtos
Fabricantes
Sobre DiGi
Contacte-nos
Blogs & Publicações
Pedido de Cotação
Brazil
Entrar
Idioma Seletivo
Idioma atual da sua escolha:
Brazil
Trocar:
Inglês
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Sobre DiGi
Sobre nós
Sobre nós
As Nossas Certificações
DiGi Introdução
Por que DiGi
Política
Política de Qualidade
Termos de uso
Conformidade RoHS
Processo de Devolução
Recursos
Categorias de Produtos
Fabricantes
Blogs & Publicações
Serviços
Garantia de Qualidade
Forma de Pagamento
Envio Global
Taxas de Envio
Perguntas Frequentes
Número do Produto do Fabricante:
SUM110N03-04P-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SUM110N03-04P-E3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
RFQ Online
13061113
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nome do Contato
*
Telefone
*
E-mail
Endereço de Entrega
Mensagem
(
*
) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SUM110N03-04P-E3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5100 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.75W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
SUM110
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
SUM110N03-04P
Informação Adicional
Outros nomes
SUM110N03-04P-E3TR
SUM110N0304PE3
SUM110N03-04P-E3DKR
SUM110N03-04P-E3CT
SUM110N03-04P-E3-ND
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
PSMN4R3-30BL,118
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
9945
NÚMERO DA PEÇA
PSMN4R3-30BL,118-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.58
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
PSMN017-30BL,118
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1868
NÚMERO DA PEÇA
PSMN017-30BL,118-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.37
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SI2304BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
SQP25N15-52_GE3
MOSFET N-CH 150V 25A TO220AB
SISH129DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAK
SI1488DH-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6