IXFN100N50Q3

Número do Produto do Fabricante:

IXFN100N50Q3

Product Overview

Fabricante:

IXYS

DiGi Electronics Número da Peça:

IXFN100N50Q3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 500V 82A SOT227B

Descrição Detalhada:

N-Channel 500 V 82A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventário:

9 Pcs Novo Original Em Estoque

12821189

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IXFN100N50Q3 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalagem

Tube

Série

HiPerFET™, Q3 Class

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

500 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

82A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

49mOhm @ 50A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

6.5V @ 8mA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

255 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

13800 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

960W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Chassis Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

SOT-227B

Pacote / Estojo

SOT-227-4, miniBLOC

Número do produto base

IXFN100

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

IXFN100N50Q3-DG

Informação Adicional

Outros nomes

-IXFN100N50Q3

Pacote padrão

10

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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