Número do Produto do Fabricante:
FQD11P06TM
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQD11P06TM-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 9.4A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
58874 Pcs Novo Original Em Estoque
12850869
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
Hwd2
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
FQD11P06TM Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
QFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
550 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 38W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
FQD11P06
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FQD11P06TM-OS
ONSONSFQD11P06TM
FQD11P06TMTR
FQD11P06TMDKR
FQD11P06TMCT
FQD11P06TM-DG
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
FQD19N10TF
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
FDD8896-F085
MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
FQPF4N90CT
MOSFET N-CH 900V 4A TO220F