Número do Produto do Fabricante:
FQPF4N90CT
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQPF4N90CT-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
Descrição Detalhada:
N-Channel 900 V 4A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventário:
12850875
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FQPF4N90CT Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
900 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
960 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
47W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220F-3
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
FQPF4
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FQPF4N90CT-OS
ONSONSFQPF4N90CT
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
2SK3564(STA4,Q,M)
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
176
NÚMERO DA PEÇA
2SK3564(STA4,Q,M)-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.54
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FABRICANTE
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
968
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PREÇO UNITÁRIO
1.34
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
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PREÇO UNITÁRIO
1.53
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PREÇO UNITÁRIO
0.48
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1.85
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