Número do Produto do Fabricante:
FQU1N80TU
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQU1N80TU-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Through Hole IPAK
Inventário:
12837942
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FQU1N80TU Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
195 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
IPAK
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
FQU1N80
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
70
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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