Número do Produto do Fabricante:
FQI7N80TU
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQI7N80TU-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 6.6A (Tc) 3.13W (Ta), 167W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventário:
12837935
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FQI7N80TU Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
QFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1850 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.13W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-262 (I2PAK)
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
FQI7N80
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FCB290N80
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1509
NÚMERO DA PEÇA
FCB290N80-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.86
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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